FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1A（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 500mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：2.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：220pF @ 10V

功率 - 最大值：1.65W

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：TLM832DS

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs